Том 11, номер 02-03, статья № 2
Скопировать ссылку в буфер обмена
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований энергетических и временных характеристик накачки и излучения импульсных газоразрядных эксимерных ArF- (193 нм) и KrF- (248нм) лазеров на основе буферного газа He. С использованием искрового разрядника РУ-65 разработана конструкция и оптимизированы параметры модифицированной высоковольтной схемы возбуждения типа L - C-инвертор с АПИ. В газовой активной среде He:Ar:F2 - 79,7:20:0,3 при полном давлении 2,2атм получен кпд от запасенной энергии 1,5% при энергии излучения 360 мДж. Максимальная энергия генерации ArF-лазера была достигнута 550 мДж с кпд 1,4% при длительности импульса на полувысоте 12 нс и плотности энергии 4 Дж/л. Для KrF-лазера в газовой активной среде He:Kr:F2 - 89,8:10:0,2 при полном давлении 2,5 атм получен полный кпд 2,4% при энер-гии излучения 570 мДж. Максимальная энергия генерации KrF-лазера 820 мДж была достигнута с кпд 2,0% при длительности импульса на полувысоте 24 нс и плотности энергии 5,9 Дж/л.
Список литературы:
- Ищенко В.Н., Лисицын В.Н., Ражев А.М. // Письма ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 18. С. 839–842.
- Sutton D.G., Suchard S.N., Gibb O.L. // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 28. N 9. P. 522–523.
- Burnham R., Powell F.X., Djeu N. // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 29. N 1. P. 30–32.
- Ищенко В.Н., Лисицын В.Н., Ражев А.М. // Письма ЖТФ. 1976. Т. 3. Вып. 14. С. 690–693.
- Burnham R., Djeu N. // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 29. N 11. P. 707–709.
- Sze R.C. // J. Quant. Electron. 1979. V. QE-15. N 12. P. 1338–1347.
- Агеев В.П., Атежев В.В., Букреев В.С. и др. // ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 7. С. 1387–1389.
- Armandillo E., Bonanni F., Grasso G. // Opt. Commun. 1982. V. 42. N 1. P. 63–66.
- Andrew J., Dyer P., Roebuck P. // Opt. Commun. 1984. V. 49. N 3. P. 189–194.
- Watanabe S., Endoh A. // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 41. N 9. P. 799–801.
- Борисов В.М., Брагин И.Е., Виноходов А.Ю. и др. // Квантовая электроника. 1995. Т. 22. N 6. С. 533–536.
- Борисов В.М., Борисов А.В., Брагин И.Е., и др. // Квантовая электроника. 1995. Т. 22. N 5. С. 446–450.