Том 18, номер 11, статья № 10

Аннотация:

Разработан макет озонометра на основе полупроводникового сенсора с чувствительностью к озону менее 0,2 ppb. Прибор проходил натурные испытания в составе автоматизированного измерительного газового комплекса Института физики атмосферы им. А.М. Обухова РАН весной и летом 2002 и 2004 гг. Приведены результаты синхронных измерений концентрации озона в приземном слое атмосферы анализатором озона DASIBI 10008 АН, основанном на методе ультрафиолетовой фотометрии, и полупроводниковым озонометром. Полученные результаты показали, что новый прибор отслеживает суточную изменчивость концентрации озона синхронно с DASIBI 1008 АН.

Список литературы:

1. Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М.: Наука, 1991. 327 c.
2. Обвинцева Л.А., Гутман Э.Е., Губанова Д.П. Применение полупроводникового метода для исследования фотохимических реакций с участием хлора и его кислородных соединений // Оптика атмосф. и океана. 1998. Т. 11. № 1. С. 86-90.
3. Elansky N.F., Markova N.A., Belikov I.B., Oberlander E.A. Transcontinenal Observations of Surface Ozone Concentration in the TROICA Experiments: 1. Space and Time Variability // Izvestiya, Atmospheric and Oceanic Physics. 2001. V. 37. Suppl. 1. P. S24-S38.
4. Obvintseva L.A., Chibirova F.Kh., Kazakov S.A., Avetisov A.K. Semiconductor sensors application for definition of factor of ozone heterogeneous destruction on Teflon surface // Sensors. 2003. N 3. P. 504-508.
5. Еланский Н.Ф., Копров Б.М., Соколов Д.Ю., Тиме Н.С. Турбулентный поток озона над степью // Изв. РАН. Физ. атмосф. и океана. 1995. Т. 31. № 1. С. 109-114.