Том 19, номер 10, статья № 15

Аннотация:

Впервые показано, что модификация кварцевой поверхности источников ультрафиолетового излучения произвольной геометрии диоксидом гафния HfO₂ снижает уровень образования озона на границе "кварц-стенка". На примере XeCl-эксилампы барьерного разряда с модифицированной стенкой колбы продемонстрировано шестикратное снижение концентрации озона.