Том 17, номер 02-03, статья № 22

pdf Липатов Е.И., Панченко А.Н., Зимаков В.П. Особенности импульсной фотопроводимости в 2-А алмазе при облучении лазерным УФ-излучением с длиной волны 308 нм . // Оптика атмосферы и океана. 2004. Т. 17. № 02-03. С. 215-220.
Скопировать ссылку в буфер обмена
Аннотация:

Приведены результаты исследований импульсной фотопроводимости в 2-А алмазе при возбуждении лазерным излучением на длине волны 308 нм. Обнаружено аномальное увеличение амплитуды и длительности сигнала фототока при больших плотностях энергии возбуждающего лазерного излучения. Установлено, что дополнительная компонента импульсного фототока возникает при плотности энергии 0,7-1 Дж/см2, которая практически не зависит от длительности и пиковой интенсивности лазерных импульсов. Предложено использование данного эффекта для усиления тока в алмазных оптоэлектронных коммутаторах, управляемых спонтанными источниками УФ-излучения.

Список литературы:

1. Физические свойства алмаза: Справочник / Под ред. Н.В. Новикова. Киев: Наукова думка, 1987. 190 с.
2. Природные алмазы России / Под ред. В.Б. Кваскова. М.: Полярон, 1997. 304 с.
3. Kohn E., Adamschik M., Schmid P., Denisenko A., Aleksov A., Ebert W. Prospects of diamond devices // J. Phys. D. 2001. V. 34. P. 77-85.
4. Бокий Г.Б., Безруков Г.Н., Клюев Ю.А., Налетов А.М., Непша В.И. Природные и синтетические алмазы. М.: Наука, 1986. 224 с.
5. Алмаз в электронной технике / Под ред. В.Б. Кваскова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 248 с.
6. Canali C., Gatti E., Kozlov S.F., Manfredi P.F., Manfredotti C., Nava F., Quirini A. Electrical properties and performances of natural diamond nuclear radiation detectors // Nuclear instruments and methods. 1979. V. 160. P. 73-77.
7. Moazed K.L., Zeidler J.R., Taylor M.J. A thermally activated solid state reaction process for fabricating ohmic contacts to semiconducting diamond // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 2246-2254.
8. Werner M. Diamond metallization for device applications // Semicond. Sci. and Technol. 2003. V. 18. № 3. P. S41-S46.
9. Salvatori S., Pace E., Rossi M.C., Galluzzi F. Photoelectrical characteristics of diamond UV detectors: dependence on device design and film quality // Diamond and Related Materials. 1997. V. 6. P. 361-366.
10. Foulon F., Bergonzo P., Borel C., Marshall R.D., Jany C., Besombes L., Brambilla A., Riedel D., Museur L., Castex M.C., Gicquel A. Solar blind chemically vapor deposited diamond detectors for vacuum ultraviolet pulsed light-source characterization // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. № 9. P. 5331-5336.
11. Whitfield M.D., Lansley S.P., Gaudin O., McKeag R.D., Rizvi N., Jackman R.B. High-speed diamond photoconductors: a solution for high rep-rate deep-UV laser applications // Diamond and Related Materials. 2001. V. 10. P. 650-656.
12. Schein J., Campbell K.M., Prasad R.R., Binder R., Krishnan M. Radiation hard diamond laser beam profiler with subnanosecond temporal resolution // Rev. Sci. Instrum. 2002. V. 73. № 1. P. 18-22.
13. Kania D.R., Pan L.S., Bell P., Landen O.L., Kornblum H., Pianetta P. Absolute x-ray power measurements with subnanosecond time resolution using type IIa diamond photoconductors // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. № 1. P. 124-130.
14. Spielmann R. A five-channel, diamond photoconducting X-ray detector array for z-pinch experiments // Rev. Sci. Instrum. 1992. V. 63. № 10. P. 5056-5058.
15. Ho P.-T., Lee C.H., Stephenson J.C., Cavanagh R.R. A diamond opto-electronic switch // Opt. Commun. 1983. V. 46. № 3-4. P. 202-204.
16. Yoneda H., Ueda K.-I., Aikawa Y., Baba K., Shohata N. Photoconductive properties of chemical vapor deposited diamond switch under high electric field strength // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № 4. P. 460-462.
17. Prasad R., Schein J., Gensler S.W., Krishnan M. Optically triggered diamond switch // Proc. of the 12th IEEE Pulsed Power conference. Monterey, CA, USA. 1999. P. 142-145.
18. Coe S.E., Sussmann R.S. Optical, thermal and mechanical properties of CVD diamond // Diamond and Related Materials. 2000. V. 9. P. 1726-1729.
19. Yoneda H., Ueda K.-I., Aikawa Y., Baba K., Shohata N. The grain size dependence of the mobility and lifetime in chemical vapor deposited diamond photoconductive switches // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. № 3. P. 1730-1733.
20. Robertson R.J., Fox J.J., Martin A.E. Two types of diamond // Phil. Trans. Roy. Soc. London. А. 1934. V. 232. P. 463-465.
21. Clark C.D., Ditchburn R.W., Dyer H.B. The absorption spectra of natural and irradiated diamonds // Proc. Roy. Soc. London. A. 1956. V. 234. P. 363-381.
22. Wilks J., Wilks E. Properties and applications of diamond. Oxford: Butterworth-Heinemann Ltd., 1991. 525 p.
23. Борзенко С.Ю. Центры захвата носителей заряда в природных алмазах и их влияние на электрофизические процессы в алмазных детекторах: Дис. … к.ф.-м.н. Иркутск: Иркут. гос. ун-т, 1990. 167 с.
24. Panchhi P.S., van Driel H.M. Picosecond optoelectronic switching in insulating diamond // IEEE J. Quantum. Electron. 1986. V. QE-22. № 1. P. 101-107.
25. Верховский В.С., Ломаев М.И., Панченко А.Н., Тарасенко В.Ф. Универсальные импульсные лазеры серии "Фотон" // Квант. электрон. 1995. Т. 22. № 1. C. 9-11.
26. Панченко А.Н., Тарасенко В.Ф. Компактный электроразрядный XeCl-лазер с энергией излучения 1 Дж и длительностью импульса 100-300 нс // Квант. электрон. 1993. Т. 20. № 7. С. 663-664.
27. Бакшт Е.Х., Панченко А.Н., Тарасенко В.Ф. Эффективный длинноимпульсный XeCl-лазер с предымпульсом, формируемым индуктивным накопителем энергии // Квант. электрон. 2000. Т. 30. № 6. С. 506-508.
28. Липатов Е.И., Панченко А.Н., Тарасенко В.Ф., Шейн Дж., Кришнан М. Фоточувствительность алмазного детектора к лазерному излучению в диапазоне 220-355 нм // Квант. электрон. 2001. Т. 31. № 12. С. 1115-1117.
29. Lansley S.P., McKeag R.D., Whitfield M.D., Rizvi N., Jackman R.B. Diamond photodetector response to deep UV excimer laser excitation // Diamond and Related Materials. 2003. V. 12. P. 677-681.
30. Glinski J., Gu X.-J., Code R.F., van Driel H.M. Space-charge-induced optoelectronic switching in IIa diamond // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. № 3. P. 260-262.
31. Huo Y.S., Gu X.-J., Code R.F., Fuh Y.G. Optical switching mechanism in type IIa diamond // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 6. P. 2060-2067.
32. Feng S., Ho P.-T., Goldhar J. Photoconductive switching in diamond under high bias field // IEEE Trans. Electron. Devices. 1990. V. 37. № 12. P. 2511-2516.

Вернуться